কীভাবে অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা সহ ডিভাইসগুলি ব্যবহার করবেন
ডিভাইসের ব্যবহারকারীদের জন্য, উচ্চ অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা সহ ডিভাইসগুলি সর্বদা কম অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা সহ ডিভাইসের চেয়ে বেশি জনপ্রিয়। তবে, ভিএলএসআইয়ের বিকাশের সাথে সাথে ছোট আকার, হালকা ওজন, কম বিদ্যুত ব্যবহার, উচ্চ সংহতকরণ এবং উচ্চ কার্যকারিতা, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা, কম ইনপুট এবং উচ্চ আউটপুট অর্জনের জন্য একটি স্কেল-ডাউন ডিজাইন গৃহীত হয়েছে। দ্রুত টার্নওভার এবং অন্যান্য দিকগুলির সুবিধা। অগভীর জংশন এবং পাতলা অক্সাইড স্তরগুলির মতো মাইক্রো মেশিন প্রযুক্তির একটি সিরিজ উত্পাদন ব্যবস্থায় সাধারণত ব্যবহৃত হয় এবং ডিভাইসগুলির অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা আরও খারাপ হচ্ছে।
ডিভাইসের অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা ডিভাইসের নকশা এবং উত্পাদন প্রক্রিয়াতে পরিবর্তিত হয়। উদাহরণস্বরূপ, সিএমওএস, পিএমওএস এবং এনএমওএস ডিভাইসগুলির সাথে তুলনা করে, যদিও অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা একই মাত্রায় রয়েছে, সিএমওএস ডিভাইসগুলিতে পিএমওএস এবং এনএমওএস ডিভাইসগুলির তুলনায় কয়েকশ ভোল্টের চেয়ে কিছুটা বেশি অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা রয়েছে।
উচ্চ অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা সহ একটি ডিভাইসের জন্য ব্যবহারকারীর অনুরোধটি একটি নির্দিষ্ট পরিমাণে, বাস্তবসম্মত নয়। প্রথমত, উচ্চ অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা সহ ডিভাইসগুলি ডিজাইন এবং উত্পাদন প্রক্রিয়াতে আরও জটিল এবং ব্যয়টি আরও বেশি। দ্বিতীয়ত, উচ্চ অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা সহ ডিভাইসগুলি ব্যয়বহুল এবং পুরো মেশিনের ব্যয় বৃদ্ধি পায়।
উপরের পরিস্থিতি বিবেচনা করে, পুরো মেশিনটি ডিজাইনের সময় কম অ্যান্টিস্ট্যাটিক সক্ষমতার সংবেদনশীল ডিভাইসের ইনপুট / আউটপুট টার্মিনালগুলিতে বাজ সুরক্ষা, ওভারভোল্টেজ প্রতিরোধ, অ্যান্টিস্ট্যাটিক এবং অ্যান্টি-হস্তক্ষেপের জন্য একটি অস্থায়ী ভোল্টেজ দমন সার্কিট (টিভিএস) যুক্ত করার পরামর্শ দেওয়া হয় । কার্যকরভাবে পুরো মেশিনের অ্যান্টিস্ট্যাটিক ক্ষমতা উন্নত করতে পারে। অস্থায়ী ভোল্টেজ দমন সার্কিটগুলি যোগাযোগ, কম্পিউটার, আই / ও পোর্ট এবং সংকেত ইনপুট / আউটপুট সুরক্ষার মতো অন্যান্য উচ্চ প্রযুক্তির ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে।
ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ দমন সার্কিটরি (টিভিএস) একটি উচ্চ কার্যকারিতা সুরক্ষা ডিভাইস। যখন ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ সুরক্ষা ডায়োডটি বিপরীত ক্ষণস্থায়ী উচ্চ শক্তির প্রভাবের শিকার হয়, তখন এটি তার দুটি মেরুর মধ্যবর্তী উচ্চ প্রতিবন্ধকে 1 x 10-12 সেকেন্ডের গতিতে কম প্রতিবন্ধে পরিণত করে। বেশ কয়েকটি কিলোওয়াট পর্যন্ত তীব্র শক্তি শোষণ করে, দুটি খুঁটির মধ্যে ভোল্টেজ একটি পূর্বনির্ধারিত মানকে আটকে দেওয়া হয়, কার্যকরভাবে বিভিন্ন surgeেউ ডাল থেকে বৈদ্যুতিন সার্কিটের সংবেদনশীল উপাদানগুলিকে রক্ষা করে। ডিভাইসে দ্রুত প্রতিক্রিয়া সময়, বৃহত ক্ষণস্থায়ী শক্তি, কম ফুটো বর্তমান, ক্ল্যাম্পিং ভোল্টেজের সহজ নিয়ন্ত্রণ, ক্ষতির কোনও সীমা নেই, ছোট ভলিউম ইত্যাদি সুবিধা রয়েছে এবং বিভিন্ন ক্ষেত্রে এটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে been